| 摘要 |
本发明提供一种耐湿性优良，特性不会变动之高可靠度半导体装置，其在构造上可实现优良之制造边限。使埋入到层间绝缘膜8之路径形状之铜配线2，连接到最下层之闸极配线1。在铜配线2之外侧使屏蔽环5之铜配线6埋入到层间绝缘膜8。在铜配线2,6和层间绝缘膜8上形成氮化矽膜9，在氮化矽膜9上形成氧化矽膜10。在氧化矽膜10埋入熔线配线3，用来连接不同之铜配线之间，在包含熔线配线3和铝配线7之上面形成氧化矽膜10。在氧化矽膜10上形成氮化矽膜11。除去位于铝配线7上之氮化矽膜11，形成开口部4，使氮化矽膜11和铝配线7直接连接。 |
