半导体装置之配线构造

摘要

本发明系在配线中设置与配线主体(11)连接的虚设配线(15)，并在虚设配线(15)中设置具有比配线主体(11)高的拉张应力产生于其中之应力集中部(21)。在该应力集中部(21)的附近设置以高密度电浆CVD法形成之绝缘膜(17)，并藉由该绝缘膜(17)在应力集中部(21)中产生拉张应力。藉由上述构造，即可在配线主体(11)之任意位置防止空隙之产生。