| 摘要 |
在具有复数DRAM晶片的一记忆模组中，其中DRAM晶片以一传输速率传送／接收具有一既定资料宽度的一系统资料信号并传送／接收与系统资料信号相较具有较大资料宽度和较低传输速率的一内部资料信号，很明显地系统资料信号的传输速率有一限制并且无法期望加速。组成记忆模组的复数DRAM中的电流消耗大，并且这也是阻碍加速的因素。得到一记忆模组，其中复数DRAM晶片堆叠在一IO晶片上，且其中各DRAM晶片以一穿透电极连接至IO晶片，而且记忆模组包括由IO晶片相互转换各DRAM晶片中的系统资料信号和内部资料信号的一结构。在此结构中，DRAM晶片间的配线可以缩短，且具有大电流消耗的DLL只可置于IO晶片上。 |
