隔离式偶对位元氧氮氧快闪记忆细胞元结构及其无接点非挥发记忆阵列

摘要

一种隔离式偶对位元氧氮氧(ONO)快闪记忆细胞元结构至少包含一个闸区形成于共源／汲区之间，其中上述之共源／汲区至少包含一对埋层源／汲扩散区被一个回蚀平面化场氧化物层所分离；上述之闸区至少包含一对第一导电岛形成于一对氧氮氧层之上及一个回蚀平面化闸介电层或一个回蚀平面化闸导电岛隔有侧边墙介电层形成于该对第一导电岛之间且置于一个闸介电层之上并具有一个离子布植区形成于一个半导体基板的一个表面部份。一个金属字线与该对第一导电岛或该对第一导电岛及该回蚀平面化闸导电岛积体化连结。根据闸结构，本发明揭示两种无接点非挥发记忆阵列。