可微缩化分闸式快闪记忆细胞元结构及其无接点分离式扩散位元线阵列

摘要

一种可微缩化分闸式快闪记忆细胞元结构至少包含一个可微缩化分闸区形成于一个共源区及一个可微缩化共汲区之间。上述之可微缩化分闸区至少包含一个可微缩化控制闸导电岛具有其第一部份形成于一个可微缩化漂浮闸岛之上方且有一个闸间介电层形成于其顶部表面之上及一个复晶矽氧化物层形成于其内侧边墙之上而其第二部份形成于一个闸介电层之上且具有一个离子布植区形成于一个半导体基板的一个表面部份。上述之共源／及可微缩化共汲区至少包含一个共源／汲扩散区具有或不具有一个回蚀第一／第二平面化场氧化物层来分离成一对埋层源／汲扩散区。根据源／汲扩散区的结构，本发明揭示三种无接点分离式扩散位元线阵列。