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发明名称 SENSE AMPLIFIER FOR FLASH MEMORY, CAPABLE OF REDUCING PROGRAM TIME AND CELL ERASE TIME BY PERMITTING THRESHOLD VOLTAGE OF CELL TO BE UNIFORMLY DISTRIBUTED
摘要
申请公布号 KR100463585(B1) 申请公布日期 2004.12.16
申请号 KR19970081069 申请日期 1997.12.31
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 CHA, BYEONG GWON
分类号 G11C16/06;(IPC1-7):G11C16/06 主分类号 G11C16/06
代理机构 代理人
主权项
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