Verfahren zur Herstellung von einem vertikalen MOS-Halbleiterbauelement,申请号DE19976027413T-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zur Herstellung von einem vertikalen MOS-Halbleiterbauelement
摘要
申请公布号	DE69727413(T2)	申请公布日期	2004.12.16
申请号	DE19976027413T	申请日期	1997.03.21
申请人	KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI	发明人	BABA, YOSHIRO;NARUSE, HIROSHI
分类号	H01L21/336;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/336	主分类号	H01L21/336
代理机构		代理人
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