Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements

摘要

Die vorliegende Erfindung offenbart ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements, in welchem ein Kanalimplantationsprozess eines Transistors in einem DRAM in einer selbstausgerichteten Weise ohne Verwendung jeglicher Maske ausgeführt wird. In Übereinstimmung mit diesem Verfahren definiert eine Bauelementisolationsschicht eine aktive Region auf einem Halbleitersubstrat. Die Bauelementisolationsschicht treibt höher aus als die aktive Region. Die aktive Region wird einem geneigten Ionenimplantationsprozess zum Implantieren einer Störstelle in die aktive Region aus zwei Richtungen unter Verwendung der Bauelementisolationsschicht als eine Maske ausgesetzt, so dass eine Störstellenkonzentration der aktiven Region benachbart zu der Bauelementisolationsschicht halb so groß ist wie die der aktiven Region zwischen der aktiven Region benachbart zu der Bauelementisolationsschicht. Eine gestapelte Struktur einer Gateoxidschicht und einer Gateelektrode werden auf der aktiven Region gebildet, um den Bildungsprozess des Halbleiterbauelements zu vervollständigen.