发明名称 |
Trench-Speicherkondensator und Verfahren zu dessen Herstellung |
摘要 |
Die Erfindung betrifft einen Trench-Speicherkondensator und ein Verfahren zu dessen Herstellung. Bei diesem Speicherkondensator ist die Buried-Plate (3) durch eine dotierte Siliziumschicht (8) bis über die Collar-Isolierschicht (4) verlängert. Die Leiterschicht (8) wird bevorzugt auf eine "vergrabene" Collar-Isolierschicht aufgebracht und mit Hilfe einer durch ALD hergestellten Schutzschicht (9) maskiert. In einem anderen Ausführungsbeispiel besteht die Leiterschicht (18) aus amorphem Silizium, welches in einem unteren Trenchbereich (12) als HSG-Schicht (18') verwendet wird.
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申请公布号 |
DE10321466(A1) |
申请公布日期 |
2004.12.16 |
申请号 |
DE20031021466 |
申请日期 |
2003.05.13 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
SEIDL, HARALD;MANGER, DIRK;GOLDBACH, MATTHIAS;BIRNER, ALBERT;SLESAZECK, STEFAN |
分类号 |
H01L21/8242;H01L27/108;H01L29/94;(IPC1-7):H01L27/108;H01L21/824 |
主分类号 |
H01L21/8242 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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