| 主权项 |
1.一种半导体装置,包含一支座,其上设有具墙的一沟槽,而在墙上则有导体,该导体在支座上延伸,而且具有一半导体元件在槽沟内并与在墙上导体成电接触,其特征在于该半导体元件是夹箝在沟槽中,然后与在墙上之导体成电接触。2.根据申请专利范围第1项之半导体装置,其中该沟槽为具有斜度形状之横剖面,该剖面在向下的方向变得较小,在槽中半导体元件自动地保持夹箝紧揆。3.根据申请专利范围第2项之半导体装置,其中该沟槽墙壁围成一5到15的角。4.根据申请专利范围第1项之半导体装置,其中一焊锡连接提供在半导体元件及导体之一之间。5.根据申请专利范围第1项之半导体装置,其中一可变形之接触体提供在半导体元件与导体之一之间。6.根据申请专利范围第5项之半导体装置,其中该可变形之接触体是一利用金属线结合提供在半导体元件上的隆起接触。7.根据申请专利范围第6项之半导体装置,其中该隆起之接触是由黄金或银制成的。8.一种制造半导体装置之方法,该装置包含一设有一沟槽的支座,该沟槽有墙,而在墙上出现有导体,而且导体是在支座上延伸,并且有一半导体元件位于沟槽内并与在墙上之导体成电接触,其特征在于其开始系一具有一连续沟槽的支座杆,而该沟槽具有墙且在墙上有电予导体,该导体是在支座杆上延伸,之后半导体元件乃被提供在沟槽中而成箝紧接,该支座杆然后乃詨分割成许多半导体装置。9.根据申请专利范围第8项之方法,其中该半导体元件是该推进一横剖面在向下方向变小的两壁具有斜度之沟槽内而在其内而提供夹箝紧接,在沟槽内半导体元件自动地锥持具有夹箝紧接。10.根据申请专利范围第8或9项之方法,其中一焊锡层在半导体元件插入沟槽前即被提供在导体上或半导体元件上,而具有半导体元件的支座杆在半导体元件播入后即被加热时。11.根据申请专利范围第8项之方法,其中该可变形之接触体在半导体元件插入沟槽前即被提供在半导体元件上。12.根据申请专利范围第11项之方法,其中该接触体系被提供在半导体元件上,当后者仍在一半导体薄片上之时,之后此薄片乃被分成各个半导体元件而播入沟槽内。13.一种制造支座杆之方法,该支座杆设有一具墙的沟槽,而在墙上有导体,该导体在支座杆上延伸,其粹徵在于导体是以下面次序提供在支座杆上:一利用金属无电核化支座杆,一局部移去此金属或使之绝缘,一电化学地加厚其剩下之金属。14.根据申请专利范围第13项之方法,其中该金属是完全通过其厚度局部地移去,或者是利用雷射或紫外线辐射而使之绝缘。 |
