| 摘要 |
Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung enthält die Schritte: Bilden einer pn-Spalte, wobei die pn-Spalter derart konstruiert ist, dass sie eine Streifenform in einem Segment des Substrats und ein sich wiederholendes Muster eines p-leitenden Typs und eines n-leitenden Typs auf der Substratoberfläche über einen Bereich (1pn) besitzt, wo in der Mehrzahl vorgesehene Halbleiteranordnungen (100) mit derselben Struktur in einem Halbleitersubstrat (1) gebildet werden, Bilden von verbleibenden Bestandteilselementen der in der Mehrzahl vorgesehenen Halbleiteranordnungen mit derselben Struktur in Bereichen (1pn), wo die sich wiederholenden Muster befindlich sind, während die pn-Spalte als Teil des Bestandteilselements jeder Halbleiteranordnung (100) dient, und Zertrennen der einzelnen Halbleiteranordnungen (100) in Chips von dem Bereich (1pn) aus, wobei die in der Mehrzahl vorgesehenen Halbleiteranordnungen (100) mit derselben Struktur gebildet sind.
|
