| 发明名称 | 单片半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种单片半导体器件，包括：衬底(12)；形成于衬底(12)上的光电导材料层(16)；形成于光电导材料(16)上的透明绝缘体(22)；及在被电激发时发光的材料层(26)，所说发光材料层(26)形成于透明绝缘体(22)上。发光材料(26)较好是有机电发光材料，例如聚合物。该器件的特殊应用是实现模拟基础上的神经网络，选择和设计各元件，该器件还可用作显示器。还公开了一种制造所说器件的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1180487C | 申请公布日期 | 2004.12.15 |
| 申请号 | CN00801538.4 | 申请日期 | 2000.05.26 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | S·谭;P·米格利奥托 |
| 分类号 | H01L31/14;H01L27/15;G06N3/067 | 主分类号 | H01L31/14 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 陈霁;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种单片半导体器件，包括：衬底；形成于衬底上的光电导材料区；形成于光电导材料区上的透明绝缘体区；及形成于透明绝缘体区上的发光材料的发光区，用于在被电激发改变光电导材料区的光电导率时发光，其中光电导材料区包括一细长图形的光电导材料区，该光电导材料区具有与其宽度相比相对长的长度，其位于发光区的下面并且延伸到在相对于发光区和光电导材料区横向放置的部分上与设置在衬底上的端子区连接。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||