| 发明名称 | 半导体器件的制造方法和电子设备的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有：在基板上淀积半导体膜的半导体膜淀积工艺，反复进行使该半导体膜的一部分熔融结晶化处理，从而使该半导体膜的实质上整个领域进行结晶的第1退火工艺，对该已结晶的半导体膜施行快速热处理的第2退火工艺，对该已结晶的半导体膜施行电路图案形成工艺，以及形成与最终得到的晶体性半导体连接的电极的电极形成工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN1180457C | 申请公布日期 | 2004.12.15 |
| 申请号 | CN01137486.1 | 申请日期 | 1996.06.26 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 宫坂光敏 |
| 分类号 | H01L21/20;H01L21/324;H01L31/18;H01L31/048 | 主分类号 | H01L21/20 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 叶恺东 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有：在基板上淀积半导体膜的半导体膜淀积工艺，反复进行使该半导体膜的一部分熔融结晶化处理，从而使该半导体膜的实质上整个领域进行结晶的第1退火工艺，对该已结晶的半导体膜施行快速热处理的第2退火工艺，对该已结晶的半导体膜施行电路图案形成工艺，以及形成与最终得到的晶体性半导体连接的电极的电极形成工艺。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||