在快闪存储器元件中形成自对准掩埋N+区的方法

摘要

本发明主要是提供一种在电子遂穿氧化层(ETOX)的快闪存储器元件中形成自对准(self-aligned)扩散掩埋(buried)N+型式的方法。本方法至少提供具有垫氧化物层的底材，介电层于垫氧化物层上，与覆盖层(cap layer)于介电层上。接着，蚀刻部分覆盖层与部分介电层以终止于垫氧化物层以形成出有源区域。然后，形成间隙壁于介电层的侧壁上。接着，蚀刻部分垫氧化物层与底材以穿过掩埋N+型式区域以形成开口。最后，形成场氧化区域于底材内。

主权项

1.一种形成一自对准掩埋N+型式区域于一底材内的方法，其特征在于，该方法包括：提供具有一垫氧化物层的一底材，一于该垫氧化物层上的介电层与一于该介电层上的覆盖层；放置一图案化掩模层位于所述覆盖层上，且以该图案化掩膜蚀刻部分该覆盖层与部分该介电层，并以该垫氧化物层为终止层以形成出一有源区域；在所述底材内植入离子，以形成掩埋N+型式区域；形成一间隙壁于该介电层的侧壁上；蚀刻部分该垫氧化物层与该底材以穿过该掩埋N+型式区域以形成一开口；以及形成一场氧化区域于该底材内。