发明名称 复合高密度构装基板与其形成方法
摘要 本发明涉及一种复合高密度内联线构装基板(Hybrid High DensityInterconnect Substrate)与其形成方法,此复合多层内联线基板由将一载台基板(Carrier Substrate)与一形成于一操作基板(Handle Substrate)上的多层内联线结构(Multi-level Interconnect Structure)结合而形成,此多层内联线结构利用集成电路的沉积、微影与蚀刻制程形成。
申请公布号 CN1180461C 申请公布日期 2004.12.15
申请号 CN02147141.X 申请日期 2002.10.23
申请人 威盛电子股份有限公司 发明人 何昆耀;宫振越
分类号 H01L21/48;H05K3/46 主分类号 H01L21/48
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 陈肖梅;文琦
主权项 1.一种具有多层内联线结构的复合高密度构装基板的形成方法,其特征在于,该基板的形成方法包含:提供一透光操作基板;形成一粘性光分解介电层于该操作基板上;形成一多层内联线结构于该粘性光分解介电层上,该多层内联线结构的表面具有数个焊垫;提供一载台基板,该载台基板设有突出表面的数个导体;提供一图案化的粘性结合膜,其中若该粘性结合膜形成于该多层内联线结构上,则暴露出该多层内联线结构表面的该数个焊垫,若该粘性结合膜形成于该载台基板表面,则暴露出该载台基板表面的该数个导体;由焊接分别结合该数个焊垫与该载台基板上的该数个导体,以结合该多层内联线结构与该载台基板;分解该粘性光分解介电层;移除该操作基板;及移除该粘性光分解介电层。
地址 台湾省台北县新店市中正路533号8楼