发明名称 Methods for forming vias and trenches with controlled SiC etch rate and selectivity
摘要
申请公布号 EP1351290(A3) 申请公布日期 2004.12.15
申请号 EP20030100705 申请日期 2003.03.19
申请人 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED 发明人 JIANG, PING;KRAFT, ROB;NEWTON, KENNETH JOSEPH
分类号 H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/768 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人
主权项
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