一种提高后道铜布线抗电迁移性的方法

摘要

本发明属于集成电路制造工艺技术领域，为一种提高后道铜布线抗电迁移性的方法。具体是在完成铜淀积后，采用离子注入将一些离子注入到硅片表面的铜中，使在随后的快速热处理过程中，在发生再结晶的同时，注入的离子聚集到晶粒边界和铜线表面，提高了抗电迁移特性。

主权项

1、一种提高后道铜布线抗电迁移性的方法，其特征在于在完成纯铜的淀积后，采用离子注入的方法注入杂质原子，随后进行热处理，使这些杂质原子聚集在长大的晶粒边界或者铜的表面，从而提高抗电迁移的特性。