| 发明名称 | 一种运用激光制作集成电路样品断面的方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于集成电路制造工艺的分析检测技术领域。为了快速、准确地制作集成电路的样品断面以进行断面电镜分析，克服手工和机械制样精度低、偏差大以及聚焦离子束分析(FIB)速度慢、时间长、容易沾污样品的缺点，本发明提出一种运用激光制作集成电路样品断面的方法。具体是将高能激光束经聚焦后投射到硅片上，通过对微小区域进行快速加热，改变此区域的机械性能，与同时加在样品上的机械力相互配合，准确地在样品上产生裂纹并使样品按预定方向开裂，从而迅速、精确地得到所需要的断面。本方法制样时间和手工及机械方式相当，而精度却有很大的提高，仅略逊于FIB方式，是一种准确高效的集成电路断面样品制备方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1555090A | 申请公布日期 | 2004.12.15 |
| 申请号 | CN200310122898.1 | 申请日期 | 2003.12.27 |
| 申请人 | 上海华虹（集团）有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 姚峰英 |
| 分类号 | H01L21/66;H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/66 |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 滕怀流;陶金龙 |
| 主权项 | 1、一种制作集成电路样品断面的方法，其特征是，将高能激光束经聚焦后投射到硅片上，通过对微小区域进行加热，与同时加在样品上的机械力相互配合，准确地在样品上产生裂纹并使样品按预定方向开裂，从而迅速、精确地得到所需要的断面。 | ||
| 地址 | 200020上海市淮海中路918号18楼 | ||