闪烁存储器控制栅堆积结构淀积侧壁介质预清洗溶液配方

摘要

本发明属于集成电路制造工艺技术领域，具体涉及一种用于制造闪烁存储器控制栅堆积结构淀积侧壁介质预清洗溶液配方。在闪烁存储器工艺制造中，控制栅堆积结构侧壁形成工艺步骤：首先进行SPM清洗，然后进行典型RCA两步清洗；接着二氧化硅介质淀积；最后进行干法刻蚀。上述工艺存在许多缺点。本发明提出了一种新的用于制造闪烁存储器控制栅堆积结构淀积侧壁介质预清洗溶液配方，只要一步清洗能够达到多步清洗效果。因此，降低了生产成本，同时提高了工艺稳定性和成品率，擦写周期数和数据保持寿命等器件可靠性有了很大的改善和提高。

主权项

1、一种用于制造闪烁存储器控制栅堆积结构淀积侧壁介质预清洗溶液配方，其特征在于：由四甲基氢氧化氨、使用臭氧、络合试剂乙二胺四乙酸和高纯水混合组成。