| 发明名称 | 含铽多晶Ni－Mn－Ga磁性形状记忆合金 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种含铽多晶Ni－Mn－Ga磁性形状记忆合金，属于合金材料领域，其特征是本发明的合金成分为Ni－Mn－Ga－Tb，其中：Ni的成分范围为45－55(at)％，Mn为18－32(at)％，Ga为16－32(at)％，Tb为0.01－5(at)％。其优点是通过添加稀土元素Tb，使材料的抗弯强度提高2－6倍，同时使材料的晶粒得到细化。在特定应力状态下材料的磁感生应变可达6000－12000ppm。材料的可加工性能大大提高，实用性增强。 | ||
| 申请公布号 | CN1554787A | 申请公布日期 | 2004.12.15 |
| 申请号 | CN200310109804.7 | 申请日期 | 2003.12.24 |
| 申请人 | 包头稀土研究院 | 发明人 | 赵增祺;江丽萍;吴双霞;王方恕;熊玮;王强;黄继民;周永勃 |
| 分类号 | C22C19/03;C22C30/00;//C22F1:00 | 主分类号 | C22C19/03 |
| 代理机构 | 包头市专利事务所 | 代理人 | 张少华 |
| 主权项 | 1、一种含铽多晶Ni-Mn-Ga磁性形状记忆合金，其特征是合金成份为Ni-Mn-Ga-Tb，其中：Ni的成分范围为45-55(at)％，Mn为18-32(at)％，Ga为16-32(at)％，Tb为0.01-5(at)％。 | ||
| 地址 | 014010内蒙古自治区包头市昆区团结大街129号 | ||