| 发明名称 | 高强度高导电率铜基复合材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及高强度高导电率铜基复合材料及其制备方法。铜基复合材料成分质量％为：Ag8～15、Cu85～92，Cu基体中分布有沿加工方向延伸的金属Ag纤维，Ag纤维间相互平行且间距相等。其制备方法依次包括下列工艺步骤：①氩气氛中熔炼Ag、Cu原料，铸锭，控制铸锭凝固冷却速率10～1000K/s；②机械冷加工所得到的铸锭，控制机械冷加工真实应变η＝2.0～3.5，于氩气氛中热处理；③冷拉拔所得坯锭得到丝材，控制冷拉拔的真实应变为η＝4.0～7.0。本发明的铜基复合材料同时具有高强度高导电率的特点，其最大强度值可达UTS＝1.5GPa，导电率＝60％IACS。该材料可用于高强脉冲磁场及其它需要高强度和高导电率综合性能的领域。 | ||
| 申请公布号 | CN1555065A | 申请公布日期 | 2004.12.15 |
| 申请号 | CN200310104169.3 | 申请日期 | 2003.12.26 |
| 申请人 | 昆明贵金属研究所 | 发明人 | 宁远涛;张婕;秦国义 |
| 分类号 | H01B1/02;H01B13/00;C22C9/00;C22C1/02;B22D7/00;B21F21/00 | 主分类号 | H01B1/02 |
| 代理机构 | 昆明正原专利代理有限责任公司 | 代理人 | 赛晓刚 |
| 主权项 | 1.高强度高导电率铜基复合材料，其成分(质量％)为：Ag8～15、Cu85～92，Cu基体中分布有沿加工方向延伸的金属Ag纤维，Ag纤维间相互平行且间距相等。 | ||
| 地址 | 650221云南省昆明市二环北路核桃箐（昆明贵金属研究所） | ||