利用X射线检查半导体材料的晶片的方法

摘要

一种利用X射线检查晶体半导体材料的晶片的方法，其中利用X射线束扫描该晶片的表面，并检测所述X射线束产生的二次辐射。在检查之前，将X射线束在检查过程中将要扫描的晶片表面粘接到一衬底，随后从该晶片被暴露的一侧去除晶体半导体材料，去除一直进行到与表面相邻的顶层。从而可以检查顶层，而该检查不会受到位于顶层以下的晶片层中出现的晶体缺陷或杂质的影响。

主权项

1.一种利用X射线检查晶体半导体材料的晶片的方法，其中利用X射线束扫描该晶片的表面，并检测该射线束产生的二次辐射，其特征在于，在利用X射线检查之前，将X射线束在检查过程中将要扫描的晶片表面粘接到一衬底，随后从该晶片，即从其暴露的自由侧去除晶体材料，到到与表面相邻的顶层为止。