| 发明名称 |
FIELD EFFECT TRANSISTOR USING INSULATOR-SEMICONDUCTOR TRANSITION MATERIAL LAYER AS CHANNEL MATERIAL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
AU2003288774(A1) |
申请公布日期 |
2004.12.13 |
| 申请号 |
AU20030288774 |
申请日期 |
2003.12.30 |
| 申请人 |
ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE |
发明人 |
DOO-HYEB YOUN;BYUNG-GYU CHAE;HYUN-TAK KIM;KWANG-YONG KANG |
| 分类号 |
H01L21/316;H01L29/772;H01L49/00;H01L51/05;H01L51/30;(IPC1-7):H01L29/772 |
主分类号 |
H01L21/316 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
