| 主权项 |
1.一种可用以调整基射极导通电压的异质接面双极电晶体结构,包含:一基板,材质为一砷化镓(GaAs);一次集极层于该基板上;一集极层于该次集极层上;一基极层于该集极层上;一射极层于该基极层上;及一射极覆层于该射极层上;其中,该基极层包含:至少一夹心层,该夹心层包含:一第一基极接面层;及一第二基极接面层于该第一基极接面层上;其中,该夹心层可为复数个,并且依次叠覆。2.如申请专利范围第1项所述的结构,进一步地,包含:一第一基极接面层于该夹心层上。3.如申请专利范围第1项所述的结构,进一步地,包含:一第二基极接面层于该夹心层上。4.如申请专利范围第1项所述的结构,进一步地,包含:一间隔材料层,该间隔材料层贴合于该第一基极接面层或该第二基极接面层;其中,该间隔材料层的材质系不同于其所贴合之该第一基极接面层与该第二基极接面层的材质。5.如申请专利范围第1项所述的结构,于该夹心层,进一步地,包含:一第三基极接面层于该第一基极接面层与该第二基极接面层间。6.如申请专利范围第5项所述的结构,进一步地,包含:一第一基极接面层于该夹心层上。7.如申请专利范围第5项所述的结构,进一步地,包含:一第二基极接面层于该夹心层上。8.如申请专利范围第5项所述的结构,进一步地,包含:一第三基极接面层于该夹心层上。9.如申请专利范围第5项所述的结构,包含:一间隔材料层,该间隔材料层贴合该第一基极接面层、该第二基极接面层,或该第三基极接面层间,其中,该间隔材料层的材质系不同于其所贴合之该第一基极接面层的材质、该第二基极接面层与该第三基极接面层的材质。10.如申请专利范围第1项所述的结构,该第一基极接面层的材质可为一锑砷化镓(GaAsxSb1-x)、一砷化镓(GaAs)或一氮砷化铟镓(InxGa1-xAsyN1-y),其中,该第一基极接面层的厚度可从1到300埃,x的组成値可从0.001到0.999,y的组成値可从0.001到0.999。11.如申请专利范围第1项所述的结构,该第二基极接面层的材质可为一锑砷化镓(GaAsxSb1-x)、一砷化镓(GaAs)或一氮砷化铟镓(InxGa1-xAsyN1-y),其中,该第二基极接面层的厚度可从1到300埃,x的组成値可从0.001到0.999,y的组成値可从0.001到0.999。12.如申请专利范围第5项所述的结构,该第三基极接面层的材质可为一锑砷化镓(GaAsxSb1-x)、一砷化镓(GaAs)或一氮砷化铟镓(InxGa1-xAsyN1-y),其中,该第三基极接面层的厚度可从1到300埃,x的组成値可从0.001到0.999,y的组成値可从0.001到0.999。13.如申请专利范围第4项或第9项所述的结构,该间隔材料层的材质可为一组成渐变材料(compositiongraded material)。14.如申请专利范围第13项所述的结构,该组成渐变材料可为一锑砷化镓(GaAsxSb1-x)或氮砷化铟镓(InxGa1-x AsyN1-y),其中x或y値于间隔材料层依其厚度成长方向,以渐变方式,使x或y値依序由低点逐渐递增或由高点逐渐递减。15.如申请专利范围第4项或第9项所述的结构,其中,该间隔材料层可为经依序叠加的复数个间隔材料层。16.如申请专利范围第15项所述的结构,其中,该间隔材料层的材质可为一锑砷化镓(GaAsxSb1-x)或氮砷化铟镓(InxGa1-xAsyN1-y),且各该复数个间隔材料层的x値或y値彼此均互不相同。图式简单说明:第一图系习知技艺典型异质接面双极电晶体的结构。第二图是本创作第一实施例的示意图。第三图系显示本创作第一实施例的基极层组成示意图。第四A图系显示本创作第二实施例的基极结构组成示意图。第四B、C、D、E、F、G、H、I、J、K、L图系显示本创作其他实施例的基极结构组成示意图。第五A图系显示本创作别种型态的其他实施例的基极结构排列示意图。第五B、C、D、E、F、G、H、I、J、K、L、M、N、O、P、Q、R图系显示别种型态的其他实施例的基极结构排列示意图。 |
