| 主权项 |
1.一种第III族氮化物系化合物半导体装置之制造方法,包含下列步骤:在一基板上形成一n型层;在该n型层上形成一含有一发光层之层;在该含有一发光层之层上形成一掺杂有一p型杂质之p型层;蚀刻至少一部份之该n型层及至少一部份之该含有一发光层之层,以露出至少一部份之该n型层及该含有一发光层之层之一末端表面;在该p型层之一表面侧上形成一p电极;在该n型层之该露出部分上形成一n电极;以一电子束照射该p型层,以使得该p型层之电阻降低;及在该电子束照射步骤之后,酸化至少该含有一发光层之层之该露出末端表面。2.如申请专利范围第1项之第III族氮化物系化合物半导体装置之制造方法,其中,该酸化步骤包含以下步骤:利用微影技术使该蚀刻所形成之该末端表面露出,并在电极部分和其他表面上形成一抗蚀剂,以保护该电极部分和该其他表面;以酸处理该露出的末端表面;及移除该抗蚀剂。3.如申请专利范围第1项之第III族氮化物系化合物半导体装置之制造方法,其中,该酸系选自氢氟酸、氢氯酸、硫酸及硝酸所构成之群组的至少其中之一。4.如申请专利范围第1项之第III族氮化物系化合物半导体装置之制造方法,其中,该含有一发光层之层包含一含有In之第III族氮化物系化合物半导体层,其系露出于该蚀刻所形成之该末端表面上。图式简单说明:图1系为本发明一具体例之发光元件之结构的截面图;图2系为酸化步骤之部分放大截面图;图3系为本发明具体例之发光元件的Vf-If特征曲线图及一比较实施例之发光元件的Vf-If特征曲线图;及图4系为当主动层之In组成百分比改变时的Vf-If特征曲线图。 |
