| 主权项 |
1.一种旋涂式有机低介电常数材料的涂布方法,适 用于一基底,该基底上已形成有具保护金属之功能 的一介电材料底层,该方法包括下列步骤: 形成一黏着促进层于该介电材料底层之上; 烘烤该黏着促进层; 使用一溶剂清洗该基底,同时藉该溶剂溶解该黏着 促进层的一部分,以平坦化该黏着促进层; 旋涂一有机低介电常数材料层于该黏着促进层上; 以及 烘乾并固化该有机低介电常数材料层。 2.如申请专利范围第1项所述之旋涂式有机低介电 常数材料的涂布方法,其中该介电材料底层之材质 为一无机绝缘材料。 3.如申请专利范围第2项所述之旋涂式有机低介电 常数材料的涂布方法,其中该无机绝缘材料为由氮 化矽、碳化矽、氮氧化矽与氧化矽所组成之族群 中的一个。 4.如申请专利范围第1项所述之旋涂式有机低介电 常数材料的涂布方法,其中烘烤该黏着促进层时的 温度介于90℃到200℃之间。 5.如申请专利范围第1项所述之旋涂式有机低介电 常数材料的涂布方法,其中烘烤该黏着促进层的时 间介于30秒到180秒之间。 6.如申请专利范围第1项所述之旋涂式有机低介电 常数材料的涂布方法,其中该黏着促进层在烘烤之 后的平均厚度为150。 7.如申请专利范围第1项所述之旋涂式有机低介电 常数材料的涂布方法,其中该黏着促进层在被该溶 剂溶解一部分之后,平均厚度小于100。 8.如申请专利范围第1项所述之旋涂式有机低介电 常数材料的涂布方法,其中该溶剂之主成分为1,3,5- 三甲基苯(mesitylene)。 9.如申请专利范围第1项所述之旋涂式有机低介电 常数材料的涂布方法,其中该溶剂包括(1-甲氧基-2- 丙醇)乙酸酯(PGMEA)。 10.如申请专利范围第1项所述之旋涂式有机低介电 常数材料的涂布方法,其中该溶剂包括-丁内酯( -butyrolactone)。 11.如申请专利范围第1项所述之旋涂式有机低介电 常数材料的涂布方法,其中该有机低介电常数材料 层之材质为SiLK。 12.如申请专利范围第1项所述之旋涂式有机低介电 常数材料的涂布方法,其中该有机低介电常数材料 层之材质为Flare。 图式简单说明: 第1图所绘示为习知旋涂式有机低介电常数材料的 涂布方法; 第2图所绘示为习知技艺中,厚度不均之黏着促进 层对双重镶嵌制程之介层窗开口蚀刻步骤的影响; 第3A-3C图所绘示为本发明之较佳实施例中,旋涂式 有机低介电常数材料的涂布方法;以及 第4图所绘示为本发明之较佳实施例中,厚度较均 匀之黏着促进层对于双重镶嵌制程之介层窗开口 蚀刻步骤的效果。 |
