发明名称 PROCEDE D'OBTENTION CONCOMITANTE D'AU MOINS UNE PAIRE DE STRUCTURES COMPRENANT AU MOINS UNE COUCHE UTILE REPORTEE SUR UN SUBSTRAT
摘要 L'invention concerne un procédé d'obtention concomitante d'au moins une paire de structures (51,52) comprenant chacune une couche utile (110,120) reportée sur un substrat (71,2).Ce procédé est remarquable en ce qu'il comprend les étapes consistant à :a) préparer une structure de rang 1 comprenant une couche utile reportée sur un substrat support (2),b) former une zone de fragilisation à l'intérieur de ladite couche utile, de façon à y définir une couche utile avant (110) et une couche utile arrière (120),c) faire adhérer un substrat raidisseur (71) sur la ladite couche utile avant (110),d) procéder au détachement de l'empilement de couches le long de la zone de fragilisation, pour obtenir deux structures de rang 2, la première (51) comprenant ledit substrat support (2) et ladite couche utile arrière (120) et la seconde (52) comprenant ledit substrat raidisseur (71) et ladite couche utile avant (110).Applications dans les domaines de l'électronique, l'optoélectronique ou l'optique.
申请公布号 FR2855909(A1) 申请公布日期 2004.12.10
申请号 FR20030006845 申请日期 2003.06.06
申请人 S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES;COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE 发明人 GHYSELEN BRUNO;AULNETTE CECILE;BATAILLOU BENOIT;MAZURE CARLOS;MORICEAU HUBERT
分类号 H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/302;H01L21/20 主分类号 H01L21/762
代理机构 代理人
主权项
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