可消除反射之光阻成像之制法

摘要

本发明系有关一种具有抗反射膜（anti-reflection coating，以下简称ARC）之光阻成像之制法，尤其该ARC膜是含有CrO/CrOx之材料系统。本发明主要藉该ARC膜之反射率可经由氧气含量加以调整及反射率在曝光波长范围内维持稳定等持性，以改善知因ARC膜厚度难以控制造成品质不稳之缺点。且由于CrOx具有应力消除之特性使本发明之ARC膜黏着力增加，并藉此达较知更具有提高元件可靠度之功效。

主权项

1. 一种可消除反射之光阻成像之制法系包括下列步骤:一ARC膜覆盖在一金属层或金属矽化物上;ARC膜上再形成一光阻层;经曝光显影后形成光阻图案以做为后续金属层或金属矽化物之蚀刻遮罩;其特征在于:该ARC膜材质系以反应式溅镀法(reactive sputtering)所形成之含有CrO/CrOx之材料系统。2. 如申请专利范围第一项所述之可消除反射之光阻成像之制法,其中该ARC膜厚度约为10-40nm。3. 如申请专利范围第一项所述之可消除反射之光阻成像之制法,其中该CrO/CrOx之反射率可藉由成长时氧气注入量来调整。4. 一种可消除反射之光阻成像之制法系包括下列步骤:一介电质层覆盖在一金属线或金属矽化物之图案上;一ARC膜再覆盖在该介电质层上;该ARC膜上再形成一光阻层;经曝光显影后形成光阻图案以做为后续金属层或金属矽化物之蚀刻遮罩;其特征在于:该ARC膜材质系以反应式溅镀法(reactive sputtering)所形成之含有CrO/CrOx之材料系统。5. 如申请专利范围第四项所述之可消除反射之光阻成像之制法,其中该ARC膜厚度约为10-40nm。6. 如申请专利范围第四项所述之可消除反射之光阻成像之制法,其中该CrO/CrOx之反射率可藉由成长时氧气注入量来调整。图示简单说明:图1A-1C为依据本发明在进行金属层曝光及蚀刻时之剖面图。图2A-2C为依据本发明在进行包括金属层之介电质层曝光