发明名称 |
Halbleitervorrichtung mit symmetrischer Schaltung zur Verwendung in einem Hochfrequenzband |
摘要 |
Ein Halbleiterchip zum Verstärken ist zwischen eingangsseitigen und ausgangsseitigen Anpassungsschaltungen angeschlossen und jede der Anpassungsschaltungen beihaltet symmetrische Schaltungen, welche eine um 180 DEG unterschiedliche Phase aufweisende Signale empfangen, die aus einem Eingangssignal geteilt werden, und die symmetrischen Schaltungen sind mit einem virtuellen Massepunkt verbunden, welcher als ein Massepunkt verwendet wird, der bezüglich HF-Charakteristiken in einer integrierten passiven Vorrichtung empfindlich ist, und daher kann eine Halbleitervorrichtung frei von dem Einfluss von Änderungen von Massedrähten sein und kann eine verringerte Abmessung, ein verringertes Gewicht und verringerte Kosten aufweisen. |
申请公布号 |
DE102004011719(A1) |
申请公布日期 |
2004.12.09 |
申请号 |
DE20041011719 |
申请日期 |
2004.03.10 |
申请人 |
MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO |
发明人 |
INOUE, AKIRA;OHTA, AKIRA;GOTO, SEIKI |
分类号 |
H01L23/12;H01L23/66;H03F1/56;H03F3/60 |
主分类号 |
H01L23/12 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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