Bitleitungsstruktur sowie Verfahren zu deren Herstellung

摘要

Die Erfindung betrifft eine Bitleitungsstruktur sowie ein zugehöriges Herstellungsverfahren, wobei zumindest in einem Bereich eines zweiten Kontakts (KS) und der daran angrenzenden ersten Kontakte (KD) ein Isolationsgraben (T) mit einer elektrisch leitenden Grabenfüllschicht (5) aufgefüllt ist, welche die an den zweiten Kontakt (KS) angrenzenden ersten Dotiergebiete (D) zur Realisierung einer vergrabenen Kontakt-Umgehungsleitung miteinander verbindet.