具有自行对准轻掺杂汲极结构的薄膜晶体管及其制造方法

摘要

一种具有自行对准轻掺杂汲极结构的薄膜晶体管，一有效层包含有一信道区域、一第一掺杂区域以及一第二掺杂区域。一闸极绝缘层是形成于该有效层之上，包含至少有一区域、一遮蔽区域以及一延伸区域，其中该区域是覆盖该信道区域，该遮蔽区域是位于该区域的外围且覆盖该第一掺杂区域，该延伸区域是位于该遮蔽区域的外围且覆盖该第二掺杂区域。一闸极层是形成于该闸极绝缘层之上，其中该闸极层是覆盖该区域且暴露该遮蔽区域以及该延伸区域。其中，该闸极绝缘层的遮蔽区域的厚度大于该闸极绝缘层的延伸区域的厚度。

主权项

1.一种具有自行对准轻掺杂汲极结构的薄膜晶体管，其特征在于：所述薄膜晶体管包括：一基底；一有效层，是形成于该基底之上，包含有一信道区域、一第一掺杂区域以及一第二掺杂区域，其中该第一掺杂区域是位于该信道区域的外围区域，且该第二掺杂区域是位于该第一掺杂区域的外围区域；一闸极绝缘层，是形成于该有效层之上，包含至少有一中央区域、一遮蔽区域以及一延伸区域，其中该中央区域是覆盖该信道区域，该遮蔽区域是位于该中央区域的外围且覆盖该第一掺杂区域，该延伸区域是位于该遮蔽区域的外围且覆盖该第二掺杂区域；以及一闸极层，是形成于该闸极绝缘层之上，其中该闸极层是覆盖该中央区域且暴露该遮蔽区域以及该延伸区域；其中，该闸极绝缘层的遮蔽区域的厚度大于该闸极绝缘层的延伸区域的厚度。