发明名称 |
TiB<SUB>2</SUB>/AI高阻尼复合材料及其制备工艺 |
摘要 |
一种TiB<SUB>2</SUB>/Al高阻尼复合材料的制备工艺,属于材料领域。本发明复合材料的成分重量百分比组成为,Si 4~13%,Cu 0~8%,Mg 0~1.3%,Mn 0~0.9%,TiB<SUB>2</SUB>0.1~20%,其余为Al。本发明利用反应盐法制备原位自生TiB<SUB>2</SUB>/Al高阻尼复合材料,包括以下步骤:加入铝锭全部熔化后用覆盖剂覆盖熔体;铝熔体保温后加入烘干的K<SUB>2</SUB>TiF<SUB>6</SUB>、KBF<SUB>4</SUB>混和盐并搅拌;反应结束后舀出混和盐反应产物,加入Si及Cu、Mg、Mn其中的一种或二种或三种调整化学成分,静置后浇入锭模,即获得原位自生TiB<SUB>2</SUB>/Al高阻尼复合材料。本发明原位自生TiB<SUB>2</SUB>颗粒表面洁净,与铝基体界面结合良好,且常温下阻尼达到高阻尼材料的要求,为生产高阻尼复合材料奠定了坚实的基础。 |
申请公布号 |
CN1552930A |
申请公布日期 |
2004.12.08 |
申请号 |
CN200310122739.1 |
申请日期 |
2003.12.19 |
申请人 |
上海交通大学 |
发明人 |
王浩伟;张亦杰;马乃恒;李险峰;易宏展 |
分类号 |
C22C21/00;C22C32/00 |
主分类号 |
C22C21/00 |
代理机构 |
上海交达专利事务所 |
代理人 |
王锡麟;王桂忠 |
主权项 |
1、一种TiB2/Al高阻尼复合材料,其特征在于,其成份重量百分比组成为,Si 4~13%,Cu 0~8%,Mg 0~13%,Mn 0~0.9%,TiB2 0.1~20%,其余为Al。 |
地址 |
200240上海市闵行区东川路800号 |