| 发明名称 | 制造掩埋氧化区域的方法和绝缘体上的硅材料 | ||
| 摘要 | 提供了一种在半导体衬底内制备缺陷引入掩埋氧化(DIBOX)区域的方法，其中包括产生稳定的缺陷区的第一低能量注入步骤；产生与稳定的缺陷区邻接的非晶层的第二低能量注入步骤；氧化并可选地退火。这里还提供了包括具有所述DIBOX的所述半导体衬底的绝缘体上硅(SOI)材料。 | ||
| 申请公布号 | CN1179408C | 申请公布日期 | 2004.12.08 |
| 申请号 | CN98122941.7 | 申请日期 | 1998.11.27 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | D·K·萨达纳;J·P·德索萨 |
| 分类号 | H01L21/76 | 主分类号 | H01L21/76 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 邹光新;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种在半导体衬底中制造掩埋氧化区域的方法，包括：(a)在半导体衬底内产生稳定的掩埋损伤区域；(b)与所述稳定的掩埋损伤区域邻接形成非晶层；(c)在使氧有效地扩散到所述半导体衬底，并引起(1)在其中形成连续掩埋氧化区或(2)形成可用于产生连续掩埋氧化区的一个中间结构的条件下，氧化在步骤(b)制得的结构。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||