| 发明名称 | 掺杂半导体层的方法,薄膜半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在优异的控制之下，可以形成一较低浓度杂质扩散区，即使是采用低耐热材料的基底。在掺杂半导体层时，由能量束穿透的例如侧壁(24)的掩模形成在半导体层(21)的表面的一部分，掺杂离子(25)吸附在半导体层表面上未形成掩模的区域，并且一能量束EBL辐射到具有形成的掩模的半导体层(21)上，以将掺杂离子引入到半导体层(21)。在例如侧壁(24)的掩模的较低部分，发生横向的扩散，可以在优异的控制之下以优异的重复性形成较低浓度杂质扩散区域。 | ||
| 申请公布号 | CN1179400C | 申请公布日期 | 2004.12.08 |
| 申请号 | CN01805083.2 | 申请日期 | 2001.12.14 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 町田晓夫;碓井节夫;达拉姆·P·戈塞恩 |
| 分类号 | H01L21/22;H01L29/786 | 主分类号 | H01L21/22 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种掺杂半导体层的方法，包括如下步骤：在半导体层的表面的一部分形成一能量束可穿透掩模；在未形成有掩模的半导体层的表面吸附掺杂离子；以及通过将能量束辐射到具有形成的掩模的半导体层上，以将该掺杂离子引入到半导体层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||