发明名称 高阻隔真空镀铝薄膜的生产工艺
摘要 一种高阻隔真空镀铝薄膜的生产工艺,其特征在于:真空环境中将等离子溅射到薄膜的表面后,再对薄膜进行真空蒸镀。其阻隔性较同样工艺条件下不经过等离子体表面处理生产的真空镀铝膜提高了3~5倍。具有效果显著,成本低,无污染的优点。
申请公布号 CN1552942A 申请公布日期 2004.12.08
申请号 CN200310112661.5 申请日期 2003.12.18
申请人 黄山永新股份有限公司 发明人 章卫东;陈旭;潘军
分类号 C23C14/22;C23C14/20 主分类号 C23C14/22
代理机构 芜湖安汇专利代理有限责任公司 代理人 徐晖
主权项 1、高阻隔真空镀铝薄膜的生产工艺,其特征在于:在真空环境中先用等离子体溅射到薄膜基材的表面后,再对薄膜进行真空蒸镀。
地址 245000安徽省黄山市徽州区徽州东路188号