发明名称 晶片清洗和蒸汽干燥系统和方法
摘要 本发明为一种处理和干燥一物体、特别是一半导体晶片的方法和系统。按照所述方法,当一湿物体位于一容器中时,把异丙醇干燥蒸汽引入该容器中。干燥蒸汽凝结在该物体表面上减小该剩余处理流体的表面张力,使得剩余处理流体从该表面上脱落。在该容器中对该物体进行HF清洁和/或去离子水清洗之类湿处理、然后排出处理流体后引入干燥蒸汽。
申请公布号 CN1179394C 申请公布日期 2004.12.08
申请号 CN99813901.7 申请日期 1999.09.28
申请人 SCP环球技术公司 发明人 E·塔默;R·M·哈尔;J·布特勒
分类号 H01L21/00;//F26B21/14,B08B3/04 主分类号 H01L21/00
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 蔡民军
主权项 1、一种处理和干燥一物体表面的方法,包括下列步骤:(a)提供一容器和至少一个有一表面的物体;(b)把该物体浸没在该容器中的一处理流体中;(c)排出该容器中的处理流体,物体表面上留下剩余处理流体;(d)在排出该容器中的该处理流体后,把一干燥蒸汽引入该容器中,该干燥蒸汽凝结在该物体表面上,减小该剩余处理流体的表面张力,使得剩余处理流体从该表面上脱落;以及(e)从容器中排出该干燥蒸汽,其中,在步骤(d)中,所引入的干燥蒸汽不含原先从容器中排出的蒸汽。
地址 美国爱达荷州