发明名称 | 四棱锥形微结构阵列的制作方法 | ||
摘要 | 本发明提供了一种面型保真度高,可刻蚀深度大的制作四棱锥形微结构阵列的方法,由需要刻蚀深度和刻蚀口径,计算出需要制作的四棱锥形微结构阵列的剖面图,再由四棱锥形微结构阵列的剖面图计算出抗蚀剂表面所需的曝光分布,由所需的曝光分布设计掩模图形,通过控制掩模移动速度和曝光时间,在抗蚀剂表面获得所需的曝光分布,最后经过显影、坚膜,完成微结构阵列的制作。本发明采用特殊的掩模图形,能在刻蚀深度比较大的情况下,高保真的制作出满足不同领域应用需求的四棱锥形微结构。 | ||
申请公布号 | CN1553223A | 申请公布日期 | 2004.12.08 |
申请号 | CN03123569.7 | 申请日期 | 2003.05.29 |
申请人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明人 | 董小春;杜春雷 |
分类号 | G02B3/08;G03F7/00 | 主分类号 | G02B3/08 |
代理机构 | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人 | 刘秀娟 |
主权项 | 1、四棱锥形微结构阵列的制作方法,其特征在于包括下列步骤:(1)由需要刻蚀深度和刻蚀口径,计算出需要制作的四棱锥形微结构阵列的剖面图;(2)根据四棱锥形微结构阵列的剖面图设计出抗蚀剂表面所需的曝光分布;(3)由所需的曝光分布设计出掩模单元图形;(4)在曝光过程中连续移动掩模,获得所需的曝光分布;(5)显影,坚膜。 | ||
地址 | 610209四川省成都市双流350信箱 |