| 发明名称 | 提供去除速率曲线处理的化学机械抛光设备的反馈控制 | ||
| 摘要 | 一种在抛光操作中控制晶片表面非均匀性的方法，包括：(a)提供一种晶片抛光模式，该模式在晶片上定义多个分区，并且在抛光工艺的抛光步骤中，确定这些分区的每一个分区的晶片材料去除速率，其中所述抛光工艺包括多个抛光步骤；(b)根据进料晶片的厚度曲线，用第一抛光配方抛光晶片；(c)为经过步骤(b)抛光的晶片确定晶片厚度曲线；以及(d)基于步骤(c)的所述晶片厚度曲线以及步骤(a)的所述模式计算更新的抛光配方，以保持目标晶片厚度曲线。所述模式定义工具状态对抛光效果的影响。所述方法可以用来对多个台板台提供反馈数据。 | ||
| 申请公布号 | CN1554118A | 申请公布日期 | 2004.12.08 |
| 申请号 | CN02815451.7 | 申请日期 | 2002.06.17 |
| 申请人 | 应用材料有限公司 | 发明人 | A·P·桑穆加孙达拉姆;A·T·施瓦姆;G·B·普拉布 |
| 分类号 | H01L21/66 | 主分类号 | H01L21/66 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵蓉民 |
| 主权项 | 1.一种在抛光操作中产生均匀晶片厚度曲线的方法，该方法包括：(a)提供一个晶片抛光模式，该模式在晶片上定义多个分区，并且在抛光步骤中，确定这些分区的每一个分区的晶片材料去除速率；以及(b)用一种为每个分区生成目标厚度曲线的抛光配方，抛光晶片。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||