发明名称 |
激光结晶系统和控制准分子激光退火制程能量密度的方法 |
摘要 |
本发明提供一种激光结晶系统和一种实时控制准分子激光退火程序能量密度的方法。该激光结晶系统包含有一准分子激光退火装置与一光学检测装置。该实时控制准分子激光退火程序的能量密度的方法,包含有利用进行一最佳能量密度决定程序,以决定出一最佳能量密度,以及利用该最佳能量密度的准分子激光来进行一准分子激光退火程序。 |
申请公布号 |
CN1553477A |
申请公布日期 |
2004.12.08 |
申请号 |
CN200410049329.3 |
申请日期 |
2004.06.11 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
曹义昌;吴焕照;林文章;张志雄 |
分类号 |
H01L21/00;H01L21/20;H01L21/324;H01L21/66;B23K26/00 |
主分类号 |
H01L21/00 |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
蒲迈文;黄小临 |
主权项 |
1.一种具有光学检测暨激光能量密度校正功能的激光结晶系统,该激光结晶系统包含有:一准分子激光退火装置,该准分子激光退火装置可执行一最佳能量密度决定程序及一准分子激光退火程序,其中该最佳能量密度程序用来决定准分子激光的一最佳能量密度,而该准分子激光退火程序依据该最佳能量密度利用准分子激光将一基板表面的非晶硅转换成多晶硅;以及一光学检测装置,用来在该最佳能量密度决定程序中检测出该最佳能量密度,并在该准分子退火程序中判断出该基板表面的多晶硅的结晶状态是否良好,该光学检测装置包含有:一光源产生器,用来产生一可见光以照射该基板表面;一影像接收器,用来撷取该基板表面所呈现的反射影像;以及一数据处理系统,与该准分子激光退火装置相连接,用以接收该影像接收器所检测出的信息,并根据所述信息控制该准分子退火装置。 |
地址 |
台湾省新竹市 |