| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种薄膜晶体管的有效层包含有一信道区域、一间隔区域以及一掺杂区域，其中该间隔区域是位于该信道区域的外围区域，且该掺杂区域是位于该间隔区域的外围区域。一闸极绝缘层是形成于该有效层之上，包含至少有一区域以及一遮蔽区域，该区域是覆盖该信道区域，该遮蔽区域是覆盖该间隔区域。一闸极层是覆盖该闸极绝缘层的区域且暴露该遮蔽区域。 | ||
| 申请公布号 | CN1553517A | 申请公布日期 | 2004.12.08 |
| 申请号 | CN03137981.8 | 申请日期 | 2003.05.29 |
| 申请人 | 统宝光电股份有限公司 | 发明人 | 张世昌;方俊雄;邓德华;蔡耀铭 |
| 分类号 | H01L29/786;H01L21/336 | 主分类号 | H01L29/786 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王一斌 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管，其特征在于：所述薄膜晶体管包括：一基底；一有效层，是形成于该基底之上，包含有一信道区域、一间隔区域以及一掺杂区域，其中该间隔区域是位于该信道区域的外围区域，且该掺杂区域是位于该间隔区域的外围区域；一闸极绝缘层，是形成于该有效层之上，包含至少有一中央区域以及一遮蔽区域，其中该中央区域是覆盖该信道区域，该遮蔽区域是位于该中央区域的外围且覆盖该间隔区域；以及一闸极层，是形成于该闸极绝缘层之上，其中该闸极层是覆盖该中央区域且暴露该遮蔽区域。 | ||
| 地址 | 台湾省苗栗县 | ||