| 主权项 |
1.一种滤色器用遮光层之制造方法,系包含:将由ITO 之 导电膜形成在基板上之过程1;对该导电膜表层进 行还原 处理,以在该导电膜表层形成还原层之过程2A;令含 有具 有触媒作用之金属离子之处理液作用在该还原层, 以在该 还原层表面形成触媒层之过程3;在该触媒层上形 成感光 性树脂膜后,施予曝光、显影之图案形成制程,使 遮光层 形成部位以外之部位之导电膜露出,然后与导电膜 之蚀刻 液接触,使该露出部位之导电膜除去,再剥离存留 之感光 性树脂膜之过程3/4;以及,在具有该触媒层之导电 膜上 施予依非电解镀膜法之金属镀膜,以形成遮光层之 过程4 者。2.一种滤色器用遮光层之制造方法,系包含:将 由ITO所 成之导电膜形成在基板上之过程1;在该基板上应 着色之 部位形成着色膜之过程1/2;将未形成有该着色膜以 外之 部位之导电膜表层予以还原处理,使还原层形成在 该导电 膜表层之过程2B;令含有具有触媒作用之金属离子 之处理 液作用在该还原层,以在该还原层表面形成触媒层 之过程 3;以及在具有该触媒层之导电膜上施予依非电解 镀膜法 之金属镀膜,以形成遮光层之过程4者。3.一种滤色 器用遮光层之制造方法,系包含:将由ITO所 导电膜形成基板上之过程1;将该导电膜表层藉由 添加有 感光性树脂之电解液中之电解处理予以还原处理, 对于形 成在该还原层上之感光性树脂膜,施予曝光,显影 之图案 形成制程,使遮光层形成部位以外之部位之导电膜 露出, 然后,与导电膜之蚀刻液接触,除去该露出部位之 导电膜 ,再剥离存留之感光性树脂膜,而在欲形成遮光层 之部位 之该导电膜表层形成还原层之过程2C;令含有具有 触媒作 用之金属离子之处理液作用在该还原层,以在该还 原层表 面形成触媒层之过程3;以及,在具有该触媒层之导 电膜 上施予依非电解镀膜法之金钢镀膜,以形成遮光层 之过程 4者。4.一种滤色器用遮光层之制造方法,系包含: 将由ITO所 成之导电膜形成在基板上之过程1;对该导电膜表 面进行 还原处理,以在该导电膜表层形成退原层之过程2; 令含 有具有触媒作用之金属离子之处理液作用在该还 原层,以 在该还原层表面形成触媒层之过程3;在具有该触 媒层之 导电膜上施予依非电解镀膜法之金属镀膜,以形成 金属镀 膜之层之过程4;以及在该金属镀膜之层上形成感 光性树 脂膜后,施予曝光,显影之图案形成制程,使遮光层 形成 部位以外之部位之金属镀膜露出,接着,与该金属 镀膜及 该导电膜与蚀刻液接触,除去该露出部位之金属镀 膜及导 电膜,再剥离存留之感光性树脂膜之过程5者。5.如 申请专利范围第1.2或4项中任一项之滤色器用遮光 层之制造方法,其中该还原层之形成系在电解液中 进行电 解处理者。6.如申请专利范围第1.2或4项中任一项 之滤色器用遮光 层之制造方法,其中该还原层之形成系在含有可令 导电膜 表面还原之元素或化合物之离子电浆环境中,或高 温气氛 中施予乾式还原者。7.如申请专利范围第1至4项中 任一项之滤色器用遮光层之 制造方法,其中所施予之非电解镀膜系使用镍(Ni) 之电解 镀膜法者。8.如申请专利范围第5项之滤色器用遮 光层之制造方法, 其中所施予之非电解镀膜系使用镍(Ni)之电解镀膜 法者。9.如申请专利范围第6项之滤色器用遮光层 之制造方法, 其中所施予之非电解镀膜系使用镍(Ni)之电解镀膜 法者。10.一种滤色器,系具备:透明之绝缘基板;及 由申请专 利范围第1项至4项中任一项之制造方法所制得之 遮光层为 特征者。11.如申请专利范围第10项之滤色器,其中 该ITO膜之膜厚 度在800-1,000 范围者。12.如申请专利范围第10项之 滤色器,其中该金属镀膜系 由Ni(镍)形成者。13.如申请专利范围第10项之滤色 器,其中该遮光层之反 射率为20%以下者。14.如申请专利范围第10项之滤 色器,其中该遮光层之反 射率为5%以下者。图式简单说明:第一图系将本发 明制造 方法一态样,按制程顺序表示之断面图。第二图系 滤色器 平面模式图。第三图系表示本发明制造方法之另 一例子之 一制程之断面图。第四图系表示本发明制造方法 之再一例 子之一制程之断面图。第五图系表示本发明制造 方法之又 一例子之一制程之断面图。 |
