| 发明名称 | 氮化物半导体元件 | ||
| 摘要 | 一种氮化物半导体元件，在n型氮化物半导体层和P型氮化物半导体层之间、具有由量子阱层和势垒层叠层而成、而且含有n型杂质的有源层，其特征在于：所述有源层叠层中至少与所述n型氮化物半导体层连接一侧的势垒层及/或量子阱层是含n型杂质的层，并且所述有源层中的n型杂质的浓度是所述n型氮化物半导体层一侧的浓度比所述p型氮化物半导体层一侧的浓度大。 | ||
| 申请公布号 | CN1553524A | 申请公布日期 | 2004.12.08 |
| 申请号 | CN200410063351.3 | 申请日期 | 2000.06.07 |
| 申请人 | 日亚化学工业株式会社 | 发明人 | 谷沢公二 |
| 分类号 | H01L33/00;H01L31/09;H01S5/323;H01S5/343 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种氮化物半导体元件，在n型氮化物半导体层和P型氮化物半导体层之间、具有由量子阱层和势垒层叠层而成、而且含有n型杂质的有源层，其特征在于：所述有源层叠层中至少与所述n型氮化物半导体层连接一侧的势垒层及/或量子阱层是含n型杂质的层，并且所述有源层中的n型杂质的浓度是所述n型氮化物半导体层一侧的浓度比所述p型氮化物半导体层一侧的浓度大。 | ||
| 地址 | 日本德岛县 | ||