| 主权项 |
1.一种积体电路电容器的形成方法,包括:在一基底上形成一下电极;形成一第一氧化钽层在该下电极上;形成一第一氮氧化钽层;形成一第二氧化钽层在该第一氮氧化钽层上;形成一第二氮氧化钽层,在该第二氧化钽层表面上;以及形成一上电极。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该下电极为一复晶矽层。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一氧化钽层,是利用四乙醯基乙基氧化钽为先驱物,经化学气相沈积法,沈积温度介于300℃至550℃之间形成。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该第一氧化钽层,是利用四乙醯基乙基氧化坦为先驱物,经化学气相沈积法,在沈积温度约为400℃左右下形成。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一氧化钽层,是利用四乙醯基乙基氧化坦为先驱物,经化学气相沈积法,沈积温度约为400℃左右形成。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该第一氧化钽层之厚度约介于1nm至2nm。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在形成第一氧化钽层之后,进行第一次快速热回火形成该第一氮氧化钽层,其中,该快速热凹火的条件为:在一氨气环境下进行;回火温度约为800℃左右;以及回火时间约为40秒至2分钟之间。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中第一氮氧化钽层的形成,是利用第一次快速热回火中所使用的氨气,与该第一氧化钽层反应而形成。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二氧化钽层,是利用四乙醯基乙基氧化钽为先驱物,经化学气相沈积法,沈积温度介于300℃至550℃之间形成。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该第二氧化钽层,是利用四乙醯基乙基氧化钽为先驱物,经化学气相沈积法,沈积温度约为400℃左右形成。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二氧化钽层,是利用四乙醯基乙基氧化钽为先驱物,经化学气相沈积法,沈积温度约为400℃左右形成。12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二氧化钽层之厚度约介于70A至150A。13.如申请专利范围第1项所述之方法,在该第二氧化钽层形成之后,进行第二次快速热回火,条件包括:在一氧化二氮环境下进行;回火温度约为800℃左右;以及回火时间约为40砂至2分钟之间。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该第二氮氧化钽是利用一第三次快速热回火,在下列条件中进行而形成:在一氨气环境下进行;回火温度约为800℃左右;以及回火时间约为40秒至2分钟之间。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中第二氮氧化钽层的形成,是利用第三次快速热回火中所使用的氨气,与该第二氧化钽层反应而形成。16.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该上电极为一复晶矽层。17.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在该下电极与第一氧化钽层之间,又包括一层金属层。图式简单说明:第一图a及第一图b绘示出一DRAM中,传统的电容器介电质层之制造方法;第二图a及第二图b绘示出在一MIM结构中,传统的介电质层之制造方法;第三图a至第三图d绘示出基于本发明,第一实施例中电容器介电质层的制造方法;以及第四图a至第四图d绘示出基于本发明一MIM结构中,介电质层的制造方法。 |
