| 主权项 |
1.一种闸极氧化层之制造方法,包括下列步骤:a.提供一矽基底;b.形成一第一氧化层于该矽基底上;c.形成一第一阻绝层于该矽基底与该第一氧化层之界面;d.形成一第二氧化层于该矽基底与该第一阻绝层之界面;e.形成一第二阻绝层于该矽基底与该第二氧化层之界面;以及f.形成一第三氧化层于该矽基底与该第二阻绝层之界面。2.如申请专利范围第1项所述之闸极氧化层之制造方法,其中在步骤b中形成该第一氧化层的方法,包括将该矽基底置于一通入氧气之氧化炉中,在约为750-850℃的温度中形成该第一氧化层于该矽基底上。3.如申请专利范围第1项所述之间极氧化层之制造方法,其中在步骤c中形成该第一阻绝层的方法,包括将该矽基底置于一通入氨气之氧化炉中,在约为750-850℃的温度中,使该第一阻绝层形成于该第一氧化层与该矽基底之界面。4.如申请专利范围第1项所述之闸极氧化层之制造方法,其中在步骤c中形成该第一阻绝层的方法,包括将该矽基底置于一通入一氧化氮气体之氧化炉中,在约为750-850℃的温度中,使该第一阻绝层形成于该第一氧化层与该矽基底之界面。5.如申请专利范围第1项所述之闸极氧化层之制造方法,其中在步骤c中形成该第一阻绝层的方法,包括将该矽基底置于一通入氧化亚氮气体之氧化炉中,在约为750-850℃的温度中,使该第一阻绝层形成于该第一氧化层与该矽基底之界面。6.如申请专利范围第1项所述之闸极氧化层之制造方法,其中在步骤d中形成该第二氧化层的方法,包括将该矽基底置于一通入氧气之氧化炉中,在约为750-850℃的温度中形成该第二氧化层于该矽基底与该第一阻绝层之界面。7.如申请专利范围第1项所述之闸极氧化层之制造方法,其中在步骤e中形成该第二阻绝层的方法,包括将该矽基底置于一通入氨气之氧化炉中,在约为750-850℃的温度中,使该第二阻绝层形成于该第二氧化层与该矽基底之界面。8.如申请专利范围第1项所述之闸极氧化层之制造方法,其中在步骤e中形成该第二阻绝层的方法,包括将该矽基底置于一通入一氧化氮气体之氧化炉中,在约为750-850℃的温度中,使该第二阻绝层形成于该第一氧化层与该矽基底之界面。9.如申请专利范围第1项所述之闸极氧化层之制造方法,其中在步骤e中形成该第二阻绝层的方法,包括将该矽基底置于一通入氧化亚氮气体之氧化炉中,在约为750-850℃的温度中,使该第二阻绝层形成于该第一氧化层与该矽基底之界面。10.如申请专利范围第1项所述之闸极氧化层之制造方法,其中在步骤f中形成该第三氧化层的方法,包括将该矽基底置于一通入氧气之氧化炉中,在约为750-850℃的温度中形成该第三氧化层于该矽基底与该第二阻绝层之界面。11.如申请专利范围第1项所述之闸极氧化层之制造方法,其中在步骤c中该第一阻绝层的材质为含氧氮化物。12.如申请专利范围第1项所述之闸极氧化层之制造方法,其中在步骤e中该第二阻绝层的材质为含氧氮化物。图式简单说明:第一图A-第一图B系绘示习知闸极氧化层之制造流程图;以及第二图A-第二图D系绘示依照本发明之一较佳实施例的一种闸极氧化层之制造流程图。 |
