| 摘要 |
"PROCESSO PARA FABRICAR UM CIRCUITO INTEGRADO FOTÈNICO". A presente invenção provê uma nova técnica baseada na configuração de máscara de escala de cinza (110), que requer somente uma única etapa de litografia e gravação (110, 120) para produzir diferente espessura de máscara de implantação de SiO~ 2~ (13) em regiões selecionadas, seguida de uma etapa IID (130) para obter intermixagem de área seletiva. Esta técnica nova, de baixo custo e simples pode ser aplicada para a fabricação de PIC em geral, e fontes WDM em particular. Aplicando uma técnica de máscara de escala de cinza em IID, de acordo com a presente invenção, a energia de intervalo de faixa de um material QW pode ser sintonizada em diferentes graus através de uma pastilha (14). Isto habilita, não só a integração de lasers monolíticos de comprimento de onda múltiplo como adicionalmente se estende para integrar com moduladores e acopladores em um único "chip". Esta técnica pode também ser aplicada para facilitar o processo de fabricação e projeto de diodos super luminescentes (SLD) expandindo o espectro de ganho para um máximo, após o crescimento epitaxial.
|
