发明名称 |
Anordning for fremstilling av krystallstaver med definert tverrsnitt og polykrystallinsk struktur ved hjelp av digelfri kontinuerlig krystallisasjon |
摘要 |
<p>En anordning for fremstilling av krystallstaver med definert tverrsnitt og søyleformet polykrystallinsk struktur ved hjelp av digelfri kontinuerlig krystallisasjon, med minst én digel fylt med krystallmateriale med en sentral bortledning for transport av digelinnholdet til en voksende krystallstav anordnet under digelen, idet den sentrale bortledning er innført i smeltemenisken på den øvre endeflate av krystallstaven, hvor det er anordnet midler for uavbrutt regulerbar mating av digelen med fast krystallmateriale og midler for samtidig tilførsel av smelteenergien og innstilling av krystallisasjonsfronten. For fremstilling av krystallstaver med definert tverrsnitt og søyleformet polykrystallinsk struktur ved bruk av teknisk mindre kostbare varmemidler ved høye krystallisasjonsrater og stabile fasegrenser er midlene for samtidig tilførsel av smelteenergi og innstilling av krystallisasjonsfronten mot en voksende krystallstav (8) forsynt med en flat induksjonsspole (5) med en åpning, idet induksjonsspolen (5) i dens avstand til digelen (4) og/eller til krystallisasjonsfronten er anordnet vertikalt bevegelig.</p> |
申请公布号 |
NO20045319(A) |
申请公布日期 |
2004.12.03 |
申请号 |
NO20040005319 |
申请日期 |
2004.12.03 |
申请人 |
PV SILICON FORSCHUNGS- UND PRODUKTIONS AG |
发明人 |
ABROSIMOV NICOLAI V;RIEMANN HELGE |
分类号 |
B22D11/00;B22D11/01;C01B33/02;C30B13/00;C30B13/20;C30B15/00;C30B15/08;H01L21/208;(IPC1-7):C30B15/00 |
主分类号 |
B22D11/00 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|