Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung

摘要

Ein Halbleiterbauelement umfaßt: eine Leiterplatte mit einem Substrat mit einem ersten Leitermuster auf einer ersten Hauptfläche und einem zweiten Leitermuster auf der zweiten Hauptfläche, einen Halbleiterchip, der über das erste Leitermuster mit der ersten Hauptfläche der Leiterplatte verbunden ist, und eine Radiatorbasis, die über eine Lotschicht und das zweite Leitermuster mit der zweiten Hauptfläche der Leiterplatte verbunden ist, um in dem Halbleiterchip erzeugte Wärme an eine Wärmeableiteinrichtung auf der dem zweiten Leitermuster abgewandten Seite der Radiatorbasis abzuleiten. Die Radiatorbasis besteht aus einem Stoff mit anisotroper thermischer Leitfähigkeit, derart, daß die thermische Leitfähigkeit der Radiatorbasis senkrecht zur Verbindungsebene zwischen ihr und der Leiterplatte größer ist als längs der Verbindungsebene. Der Unterschied zwischen dem thermischen Ausdehnungskoeffizienten der Radiatorbasis längs der Verbindungsebene und dem des Substrats längs der Verbindungsebene ist gleich oder kleiner als ein vorbestimmter Wert und niedrig genug, um einen Bruch der Lotschicht aufgrund zwischen der Radiatorbasis und der Leiterplatte auftretender thermischer Spannung zu verhindern.