| 主权项 |
1.一种制造芳香族聚碳酸酯之方法,其为由芳香族二羟基化合物及碳酸二芳酯制造芳香族聚碳酸酯之方法中,包含(a)令芳香族二羟基化合物与碳酸二芳酯反应所得之芳香族聚碳酸酯的熔融预聚物,于满足下述式(1)之压力Pg下,以惰性气体进行处理,令该熔融预聚物吸收该惰性气体,2107≧Pg>41012M1-2.6871 (1)(但,于式(1)中,Pg为表示惰性气体吸收步骤(a)所用之压力(Pa);而M1为表示惰性气体吸收步骤(a)之前的熔融预聚物之数平均分子量)(b)令吸收该惰性气体之该熔融预聚物,于惰性气体吸收步骤(a)所使用之该压力Pg更低之压力Pp下进行聚合,使得该熔融预聚物聚合至指定之聚合度为止。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该惰性气体吸收步骤(a)中,所用之可满足上述式(1)之该压力Pg为,在用以取得该熔融预聚物所用之反应压力以上。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该惰性气体吸收步骤(a)之前及其后之该熔融预聚物的分子量变化为以下述式表示,(M2-M1)≦500(但,于上述式中,M1及M2分别表示惰性气体吸收步骤(a)之前及其后之熔融预聚物的数平均分子量)。4.如申请专利范围第1项之方法,其中M2未满5,178时,该聚合步骤(b)所使用之压力Pp为满足下述式(2),且于M2为5,178以上时,该聚合步骤(b)所使用之压力Pp为满足下述式(3)Pg>Pp>-0.056M2+290 (2)(但,式(2)中,Pg及Pp分别表示惰性气体吸收步骤(a)及聚合步骤(b)所使用之压力(Pa),且Pg满足上式(1)之内容;而M2为表示惰性气体吸收步骤(a)之后之熔融预聚物的数平均分子量)Pg>Pp>0(但,式(3)中,Pg及Pp为如上述式(2)之定义)。5.如申请专利范围第1项之方法,其中聚合步骤(b)系使熔融预聚物沿着导管表面流下,且在其落下中所进行的该熔融预聚物之聚合,系为导管接触落下聚合过程。6.如申请专利范围第5项之方法,其聚合步骤(b)中,沿着导管流下之熔融预聚物为呈经常发泡状态。7.如申请专利范围第1项之方法,其中令吸收该惰性气体之该熔融预聚物,于聚合步骤(b)中用以进行该熔融预聚物聚合之聚合带区域中连续供给,并由该聚合带区域连续抽出该聚合步骤(b)所制造之芳香族聚碳酸酯,且连续进行聚合步骤(b)。8.如申请专利范围第1项之方法,其中惰性气体为氮气。9.如申请专利范围第1项之方法,其中惰性气体吸收步骤(a)中之惰性气体吸收量,相对于熔融预聚物1公斤为0.0001-1Nl(但,Nl为在标准温度、压力条件下所测定之l)。10.一种芳香族聚碳酸酯,其为依据如申请专利范围第1-9项中任一项记载之方法新制得。图式简单说明:第一图为示出用以实施本发明方法之系统概略图。 |
