| 主权项 |
1.一种曝光用光罩其特征为备有:透光性基板,与形成于此透光性基板上者,遮光曝光光线并且由能够透过较该曝光光线更长波长之光线之物质所构成之遮光图样,与装套上述透光性基板一部分所制作之相位移位图样所成之光罩图样。2.如申请专利范围第1项之曝光用光罩,其中,上述遮光图样系,形成于上述透光性基板上者,而遮光曝光光线并且较该曝光光线更长波长而由能够透够700nm以下之至少一部分之波长区域之光线之物质所构成。3.如申请专利范围第1项或第2项之曝光用光罩,其中,在上述透光性基板,形成了挖入2种类深度之挖入部,而由于该挖入量之相异对于曝光光线约略具有180度之相位差。4.如申请专利范围第1项之曝光用光罩,其中,上述透光性基板系形成至少挖成1种类深度之挖入部,透过该挖入部之至少一部分之光线为对于透过上述透光性基板之非加工领域之曝光光线来发生光路长差者。5.如申请专利范围第1项之曝光用光罩,其中,上述透光性基板系形成至少挖成2种类深度之挖入部,该挖入部之各个挖入量之差与浅方之挖入量为约略相等。6.一种曝光用光罩之制造方法,其系备有:透光性基板,与形成于此透光性基板上者,遮光曝光光线并且由能够透过较该曝光光线更长波长之光线之物质所构成之遮光图样,与装套上述透光性基板一部分所制作之相位移位图样所成之光罩图样之曝光用光罩之制造方法,其特征为;将上述透光性基板之蚀刻深度,系由测定上述遮光性物质为使用较曝光光线更长波长之光线通过遮光图样之光线与透过遮光图样之开口之光线之光学像及相位差来加以计算者。7.一种曝光用光罩之制造方法,其系备有;透光性基板,与形成于此透光性基板上之遮光图样与将上述透光性基板之一部分挖入所制作之相位移位图样所成之光罩图样之曝光用光罩之制造方法,其特征为至少包含;在此透光性基板上,遮光曝光光线并且由较曝光光线更长波长之光线透过之物质所成之形成遮光图样之制程,与将遮光图样之开口使用抗蚀剂做选择性遮蔽,使用较曝光光线更长波长之光线测定透过遮光图样之光线与通过遮光图样之开口之光线之相位差,而将遮光图样及抗蚀剂做为光罩蚀刻基板,而变成所需相位差时停止蚀刻之制程,与去防抗蚀剂之制程。8.一种曝光用光罩之制造方法,其系备有;透光性基板,与形成于此透光性基板上之遮光图样与将上述透光性基板之一部分挖入所制作之相位移位图样所成之光罩图样之曝光用光罩之制造方法,其特征为至少包含;在此透光性基板上,遮光曝光光线并且由较曝光光线更长波长之光线透过之物质所成之形成遮光图样之制程,与将遮光图样之开口使用抗蚀剂做选择性遮蔽,使用具有上述遮光性物质透过性之波长区域之光线测定透过遮光图样之光线与通过遮光图样之开口之光线之相位差,而将遮光图样及抗蚀剂做为光罩蚀刻基板,而变成所需相位差时停止蚀刻之制程,与去除抗蚀剂之后,使用较曝光光线更长波长之光线测定透过遮光图样之光线与透过遮光图样之开口之光线之相位差,将遮光图样做为光罩蚀刻基板,而变成所需相位差时停止蚀刻之制程。9.如申请专利范围第6至第8项中任一项之曝光用光罩之制造方法,其中,上述遮光图样系形成于上述透光性基板上者,边遮光曝光光线并且使用较该曝光光线更长波长而由能够透过700nm以下之至少一部分之波长区域之光线之所构成。10.如申请专利范围第6至第8项中任一项之曝光用光罩之制造方法,其中,测定上述相位差之步骤,系对于遮光性图样与挖入量相异之各个图样及不挖入透光性基板领域使用较曝光波长更长波长进行,而从各个光路长差与光路长测定波长,光路长测定波长之透光性基板之绕射率,曝光波长,在曝光波长之透光性基板之绕射率求取各个图样之挖入量,或相位差之步骤。图示简单说明:第一图系表示在本发明之偏移量h及在曝光波长之相位差P之计算步骤之流程图。第二图系表示本发明曝光用光罩之剖面构造与曝光波长及相位检查波长之半透过状况之图。第三图系表示有关第1实施形态之曝光用光罩制程前半之图。第四图系表示有关第1实施形态之曝光用光罩制程后半之图。第五图系表示有关第3实施形态之曝光用光罩制程前半之图。第六图系表示有关第3实施形态之曝光用光罩制程后半之图。第七图系表示有关第4实施形态之曝光用光罩制程前半之图。第八图系表示有关第4实施形态之曝光用光罩制程后半之图。第九图系表示有关第5实施形态之曝光用光罩制程前半之图。第十图系表示有关第5实施形态之曝光用光罩制程后半之图。第十一图系表示有关第6实施形态之曝光用光罩制程前半之图。第十二图系表示有关第6实施形态之曝光用光罩制程后半之图。第十三图系表示对于遮光膜透光率之焦点深度之劣化度之图。 |
