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发明名称
制造半导体装置之方法,可挠性基板及半导体装置
摘要
一种半导体晶片6,其安装于一可挠性基板1上,其中在绝缘膜2表面上,提供内部连接电极4与电线3,内部连接电极4连接半导体晶片6元件表面上之突出电极7,而电线3则连接外部装置,其中电线3系用来连接内部连接电极4与外部连接电极。内部连接电极4,电线3与绝缘薄膜2的表面上,涂有一层保护薄膜5。藉由将半导体晶片6之元件表面排列成面对可挠性基板1,并使元件表面上之突出电极7穿过保护薄膜5,以连接突出电极7与内部连接电极4。此一半导体装置制造方法能够避免离子迁移,并减少电线之间短路的发生。
申请公布号
TW200426962
申请公布日期
2004.12.01
申请号
TW093109643
申请日期
2004.04.07
申请人
夏普股份有限公司
发明人
内藤克幸
分类号
H01L21/60
主分类号
H01L21/60
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
日本
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